Manufacturing method of semiconductor device, substrate processing apparatus and program

반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램

Abstract

본 발명에 따르면 기판에 대하여, 제1 원소와 탄소의 화학 결합을 갖는 원료가 열분해함과 함께, 원료에 포함되는 제1 원소와 탄소의 화학 결합의 적어도 일부가 절단되지 않고 유지되는 조건 하에서 원료를 공급함으로써, 1 원자층을 초과하고 수 원자층 이하의 두께를 갖고 제1 원소와 탄소의 화학 결합을 포함하는 제1 고체층을 형성하는 공정과, 기판에 대하여, 플라즈마 여기시킨 제2 원소를 포함하는 리액턴트를 공급하거나, 또는, 플라즈마 여기시킨 불활성 가스 및 플라즈마 여기시키지 않은 제2 원소를 포함하는 리액턴트를 공급함으로써, 제1 고체층을 개질하여, 제2 고체층을 형성하는 공정을 비동시로 행하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 기판 위에, 제1 원소, 제2 원소 및 탄소를 포함하는 막을 형성한다.

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    KR-20120092672-AAugust 21, 2012가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키Process for production of semiconductor device, method for treatment of substrate, and device for treatment of substrate
    KR-20130044140-AMay 02, 2013가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
    KR-20130107249-AOctober 01, 2013가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
    US-2006228903-A1October 12, 2006Mcswiney Michael L, Mengcheng LuPrecursors for the deposition of carbon-doped silicon nitride or silicon oxynitride films

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