반도체 패키지 및 그 제조 방법

Semiconductor Package and Method of Fabricating the Same

Abstract

반도체 패키지의 제조 방법이 제공된다. 이 방법은 활성면, 활성면에 대향하는 후면 및 활성면과 후면 사이의 측면들을 각각 갖는 복수의 제 1 반도체 칩들 각각의 후면 및 측면들을 덮는 제 1 몰딩부로 구성된 몰딩 웨이퍼를 준비하는 단계, 제 1 반도체 칩들 각각의 노출된 활성면 및 활성면에 인접하는 제 1 몰딩부의 제 1 면 상에 제 1 반도체 칩들과 전기적으로 연결되는 제 1 재배선층을 형성하는 단계, 제 1 재배선층 상에 제 1 재배선층과 전기적으로 연결되는 적어도 하나 이상의 제 2 반도체 칩을 실장하는 단계, 제 1 재배선층 상에 제 2 반도체 칩을 덮는 제 2 몰딩부를 형성하는 단계, 제 1 재배선층과 전기적으로 연결되도록 제 1 몰딩부 또는 제 2 몰딩부를 관통하는 관통 전극을 형성하는 단계, 및 관통 전극이 형성된 제 1 몰딩부의 제 1 면에 대향하는 제 2 면 또는 제 1 재배선층에 대향하는 제 2 몰딩부의 표면 상에 관통 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 재배선층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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Patent Citations (4)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-20120027807-AMarch 22, 2012주식회사 하이닉스반도체적층 패키지 제조방법
    KR-20130077031-AJuly 09, 2013주식회사 네패스반도체 패키지 및 그 제조 방법
    US-2010133704-A1June 03, 2010Stats Chippac, Ltd.Semiconductor Device and Method of Forming an Interposer Package with Through Silicon Vias
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